Številka izdelka proizvajalca:
SSM6K411TU(TE85L,F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6K411TU(TE85L,F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 10A UF6
Podroben opis:
N-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UF6
Zaloga:
12889385
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6K411TU(TE85L,F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
U-MOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 7A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
710 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
UF6
Paket / Primer
6-SMD, Flat Leads
Osnovna številka izdelka
SSM6K411
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6K411TU(TE85LFCT
SSM6K411TU(TE85LFTR
SSM6K411TU(TE85LFDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RF4E110GNTR
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
6586
ŠTEVILKA DELA
RF4E110GNTR-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J338R,LF
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
2SK3662(F)
MOSFET N-CH 60V 35A TO220NIS
SSM3H137TU,LF
MOSFET N-CH 34V 2A UFM
