Številka izdelka proizvajalca:
SSM6N17FU(TE85L,F)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6N17FU(TE85L,F)-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 50V 0.1A US6
Podroben opis:
Mosfet Array 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount US6
Zaloga:
4 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890166
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6N17FU(TE85L,F) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
-
Odtok do napetosti vira (vdss)
50V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100mA (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
20Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 1µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7pF @ 3V
Moč - največja
200mW (Ta)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket naprav dobavitelja
US6
Osnovna številka izdelka
SSM6N17
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6N17FU(TE85LF)TR
SSM6N17FU(TE85LF)DKR
SSM6N17FU(TE85LF)CT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM6N44FE,LM
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
SSM6N55NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
DMC3401LDW-7
MOSFET N/P-CH 30V 0.8A SOT363
