Številka izdelka proizvajalca:
SSM6N35AFE,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6N35AFE,LF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 0.25A ES6
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 250mA (Ta) 250mW Surface Mount ES6
Zaloga:
87942 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889399
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6N35AFE,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate, 1.2V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
250mA (Ta)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
0.34nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
36pF @ 10V
Moč - največja
250mW
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Paket naprav dobavitelja
ES6
Osnovna številka izdelka
SSM6N35
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6N35AFE,LF(B
SSM6N35AFELF(B
SSM6N35AFELF
SSM6N35AFELF-DG
SSM6N35AFELFTR
SSM6N35AFELFCT
SSM6N35AFE,LF(T
SSM6N35AFELFDKR
Standardni paket
4,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM6L14FE(TE85L,F)
MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6
SSM6L13TU(T5L,F,T)
MOSFET N/P-CH 20V 800MA UF6
SSM6N7002BFE,LM
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
