Številka izdelka proizvajalca:
SSM6N58NU,LF
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
SSM6N58NU,LF-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6UDFN
Podroben opis:
Mosfet Array 30V 4A 1W Surface Mount 6-UDFN (2x2)
Zaloga:
154565 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889681
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SSM6N58NU,LF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate, 1.8V Drive
Odtok do napetosti vira (vdss)
30V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
84mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
129pF @ 15V
Moč - največja
1W
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
6-WDFN Exposed Pad
Paket naprav dobavitelja
6-UDFN (2x2)
Osnovna številka izdelka
SSM6N58
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SSM6N58NULFCT
SSM6N58NULF
SSM6N58NULFTR
SSM6N58NULFDKR
SSM6N58NU,LF(T
SSM6N58NU,LF(B
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM6N7002KFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
SSM6N68NU,LF
MOSFET 2N-CH 30V 4A 6DFN
SSM6P36FE,LM
MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6
