Številka izdelka proizvajalca:
TJ60S06M3L,LXHQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TJ60S06M3L,LXHQ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 60A DPAK
Podroben opis:
P-Channel 60 V 60A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Zaloga:
1828 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12939584
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TJ60S06M3L,LXHQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (maks)
+10V, -20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7760 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK+
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TJ60S06
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
TJ60S06M3L,LXHQ(O
264-TJ60S06M3LLXHQTR
264-TJ60S06M3LLXHQCT
264-TJ60S06M3LLXHQDKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
APT20M34SLLG/TR
MOSFET N-CH 200V 74A D3PAK
2SK3755-AZ
TRANSISTOR
NTLUS030N03CTAG
MOSFET N-CH 30V 4.5A 6UDFN
