Številka izdelka proizvajalca:
TK100E10N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK100E10N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220
Podroben opis:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
4370 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889325
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK100E10N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
140 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8800 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
255W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK100E10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK100E10N1S1X
TK100E10N1,S1X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
SSM6P16FE(TE85L,F)
MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6
TK6P65W,RQ
MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK
