Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
TK10A80W,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK10A80W,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 800 V 9.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
49 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891533
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK10A80W,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
550mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 450µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1150 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
40W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK10A80
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
TK10A80W
Dodatne informacije
Druga imena
TK10A80WS4X
TK10A80W,S4X(S
264-TK10A80W,S4X
TK10A80WS4X-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPA60R600P7SXKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
689
ŠTEVILKA DELA
IPA60R600P7SXKSA1-DG
CENA ENOTE
0.35
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STF14N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
859
ŠTEVILKA DELA
STF14N80K5-DG
CENA ENOTE
1.51
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SPA07N60C3XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
487
ŠTEVILKA DELA
SPA07N60C3XKSA1-DG
CENA ENOTE
0.90
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STF8N65M5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
7
ŠTEVILKA DELA
STF8N65M5-DG
CENA ENOTE
1.19
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STF12N60M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
990
ŠTEVILKA DELA
STF12N60M2-DG
CENA ENOTE
0.65
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMG2302UQ-13
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
DMP2075UVT-13
MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
TK14C65W,S1Q
MOSFET N-CH 650V 13.7A I2PAK
DMP22M2UPS-13
MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8