Številka izdelka proizvajalca:
TK125V65Z,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK125V65Z,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 24A 5DFN
Podroben opis:
N-Channel 650 V 24A (Ta) 190W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Zaloga:
5000 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12945878
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK125V65Z,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
24A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1.02mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2250 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Primer
4-VSFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
TK125V65
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK125V65Z,LQDKR
264-TK125V65Z,LQDKR-DG
264-TK125V65Z,LQTR
264-TK125V65Z,LQCT
264-TK125V65ZLQTR
264-TK125V65ZLQCT
264-TK125V65Z,LQTR-DG
TK125V65Z,LQ(S
264-TK125V65Z,LQCT-DG
264-TK125V65ZLQDKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF9Z34PBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB
IRF630PBF-BE3
MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
IRF624PBF-BE3
MOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB