Številka izdelka proizvajalca:
TK12E60W,S1VX
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK12E60W,S1VX-DG
Opis:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Podroben opis:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
50 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891143
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK12E60W,S1VX Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 600µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
890 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK12E60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK12E60WS1VX
TK12E60W,S1VX(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC6111(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 5.5A VS-6
TK17N65W,S1F
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO247
SSM3J325F,LF
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
