Številka izdelka proizvajalca:
TK12Q60W,S1VQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK12Q60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Through Hole I-Pak
Zaloga:
65 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890805
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK12Q60W,S1VQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 600µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
890 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Osnovna številka izdelka
TK12Q60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK12Q60WS1VQ
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK10A80E,S4X
MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS
TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
2SK2989,T6F(J
MOSFET N-CH TO92MOD
