Številka izdelka proizvajalca:
TK14N65W5,S1F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK14N65W5,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
30 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891279
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK14N65W5,S1F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
300mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 690µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1300 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
130W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK14N65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK14N65W5,S1F(S
TK14N65W5S1F
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCC8002-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
SSM5N16FUTE85LF
MOSFET N-CH 20V 100MA USV
SSM6J50TU,LF
MOSFET P-CH 20V 2.5A UF6