Številka izdelka proizvajalca:
TK17A65W5,S5X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK17A65W5,S5X-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podroben opis:
N-Channel 650 V 17.3A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
45 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920899
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK17A65W5,S5X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
230mOhm @ 8.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 900µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1800 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK17A65
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
TK17A65W5,S5X(M
264-TK17A65W5S5X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH1500CNH,L1Q
MOSFET N-CH 150V 38A 8SOP
TK1K0A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK49N65W,S1F
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO2
