Številka izdelka proizvajalca:
TK20A60W,S5VX
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK20A60W,S5VX-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
64 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889209
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK20A60W,S5VX Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
155mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1680 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK20A60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK20A60W,S5VX(M
TK20A60WS5VX
ASTK20A60W,S5VX(M
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K56ACT,L3F
MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3
SSM6J505NU,LF
MOSFET P-CH 12V 12A 6UDFNB
SSM3J56ACT,L3F
MOSFET P-CH 20V 1.4A CST3
