Številka izdelka proizvajalca:
TK20V60W,LVQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK20V60W,LVQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 20A 4DFN
Podroben opis:
N-Channel 600 V 20A (Ta) 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Zaloga:
12889484
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK20V60W,LVQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1680 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
156W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Primer
4-VSFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
TK20V60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK20V60WLVQDKR
TK20V60WLVQCT
TK20V60WLVQTR
TK20V60W,LVQ(S
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK16G60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 15.8A D2PAK
TK8A45D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 8A TO220SIS
SSM3K301T(TE85L,F)
MOSFET N-CH 20V 3.5A TSM
