Številka izdelka proizvajalca:
TK25N60X,S1F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK25N60X,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
12889157
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK25N60X,S1F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
125mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
180W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK25N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK25N60XS1F
TK25N60X,S1F(S
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPW65R125C7XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
80
ŠTEVILKA DELA
IPW65R125C7XKSA1-DG
CENA ENOTE
2.31
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXFH34N65X2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
89
ŠTEVILKA DELA
IXFH34N65X2-DG
CENA ENOTE
4.08
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SJ668(TE16L1,NQ)
MOSFET P-CHANNEL 60V 5A PW-MOLD
2SK3309(Q)
MOSFET N-CH 450V 10A TO220FL
TK17A80W,S4X
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS