Številka izdelka proizvajalca:
TK25N60X5,S1F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK25N60X5,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
30 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889563
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK25N60X5,S1F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
140mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 1.2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
180W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK25N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK25N60X5,S1F(S
TK25N60X5S1F
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK50E10K3(S1SS-Q)
MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB
SSM3J334R,LF
MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
SSM3K35AFS,LF
MOSFET N-CHANNEL 20V 250MA SSM
