TK25S06N1L,LQ
Številka izdelka proizvajalca:

TK25S06N1L,LQ

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

TK25S06N1L,LQ-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 25A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 60 V 25A (Ta) 57W (Tc) Surface Mount DPAK+

Zaloga:

1488 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12942787
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TK25S06N1L,LQ Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18.5mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
855 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
57W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK+
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK25S06

Dodatne informacije

Druga imena
264-TK25S06N1L,LQDKR
64320
264-TK25S06N1L,LQTR
264-TK25S06N1L,LQCT
264-TK25S06N1LLQTR-DG
264-TK25S06N1LLQTR
Standardni paket
2,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

2SJ664-E

MOSFET P-CH

renesas-electronics-america

RJL5012DPE-00#J3

MOSFET N-CH 500V 12A 4LDPAK

sanyo

CPH3307-TL-E

MOSFET P-CH

sanyo

2SJ664-E-SY

MOSFET P-CH