Številka izdelka proizvajalca:
TK25V60X,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK25V60X,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A 4DFN
Podroben opis:
N-Channel 600 V 25A (Ta) 180W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Zaloga:
12891084
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK25V60X,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
135mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.2mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
180W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Primer
4-VSFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
TK25V60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK25V60XLQ
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3K17FU,LF
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
SSM6J216FE,LF
MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6
TPCA8031-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 24A 8SOP
