Številka izdelka proizvajalca:
TK290A60Y,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK290A60Y,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 600 V 11.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
12889146
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK290A60Y,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
290mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 450µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
730 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK290A60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK290A60Y,S4X(S
TK290A60YS4X(S
TK290A60YS4X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
R6015ENX
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
23
ŠTEVILKA DELA
R6015ENX-DG
CENA ENOTE
1.61
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SPA15N60C3XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
266
ŠTEVILKA DELA
SPA15N60C3XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.58
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK290P60Y,RQ
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
SSM6J424TU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A UF6
2SJ438(AISIN,Q,M)
MOSFET P-CH TO220NIS
