Številka izdelka proizvajalca:
TK31V60X,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK31V60X,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Podroben opis:
N-Channel 600 V 30.8A (Ta) 240W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8)
Zaloga:
23868 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890724
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK31V60X,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
98mOhm @ 9.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.5mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3000 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
240W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-DFN-EP (8x8)
Paket / Primer
4-VSFN Exposed Pad
Osnovna številka izdelka
TK31V60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK31V60X,LQ(S
TK31V60XLQDKR
TK31V60XLQCT
TK31V60XLQTR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK100A06N1,S4X
MOSFET N-CH 60V 100A TO220SIS
TPC6009-H(TE85L,FM
MOSFET N-CH 40V 5.3A VS-6
TK6A53D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 525V 6A TO220SIS
