Številka izdelka proizvajalca:
TK33S10N1L,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK33S10N1L,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
Zaloga:
1997 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12943189
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK33S10N1L,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.7mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2250 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK+
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK33S10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK33S10N1L,LQDKR
264-TK33S10N1LLQTR
264-TK33S10N1LLQCT
264-TK33S10N1L,LQDKR-DG
264-TK33S10N1LLQDKR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK33S10N1L,LXHQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
3908
ŠTEVILKA DELA
TK33S10N1L,LXHQ-DG
CENA ENOTE
0.45
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCC8136.LQ
MOSFET P-CH 20V 9.4A 8TSON
TK40J20D,S1F(O
MOSFET N-CH 200V 40A TO3P
TPCA8109(TE12L1,V
MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP
