TK34A10N1,S4X
Številka izdelka proizvajalca:

TK34A10N1,S4X

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

TK34A10N1,S4X-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 100 V 34A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12949686
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TK34A10N1,S4X Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
34A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.5mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2600 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK34A10

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
TK34A10N1

Dodatne informacije

Druga imena
TK34A10N1S4X
TK34A10N1,S4X-DG
TK34A10N1,S4X(S
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
diodes

DMJ70H1D3SH3

MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251

diodes

DMP2035UVTQ-13

MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26

diodes

DMG3404L-13

MOSFET N-CH 30V 4.2A SOT23

diodes

DMT6016LPSW-13

MOSFET N-CH 60V PWRDI5060