Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
TK35N65W5,S1F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK35N65W5,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Podroben opis:
N-Channel 650 V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
26 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890503
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK35N65W5,S1F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
35A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
95mOhm @ 17.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 2.1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4100 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
270W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK35N65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
TK35N65W5
Dodatne informacije
Druga imena
TK35N65W5S1F
TK35N65W5,S1F(S
TK35N65W5,S1F-DG
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXFX64N60P3
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
1060
ŠTEVILKA DELA
IXFX64N60P3-DG
CENA ENOTE
8.28
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPW60R075CPFKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
240
ŠTEVILKA DELA
IPW60R075CPFKSA1-DG
CENA ENOTE
6.48
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IPW60R070P6XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
240
ŠTEVILKA DELA
IPW60R070P6XKSA1-DG
CENA ENOTE
3.70
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SIHG40N60E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
809
ŠTEVILKA DELA
SIHG40N60E-GE3-DG
CENA ENOTE
3.34
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SPW55N80C3FKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
450
ŠTEVILKA DELA
SPW55N80C3FKSA1-DG
CENA ENOTE
8.44
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8031-H(TE12LQM)
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
DMN3009LFVW-13
MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
TK20S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 20A DPAK
TPC8109(TE12L)
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP