Številka izdelka proizvajalca:
TK39N60X,S1F
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK39N60X,S1F-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO247
Podroben opis:
N-Channel 600 V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247
Zaloga:
30 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891669
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK39N60X,S1F Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
38.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
65mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.9mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4100 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
270W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
TK39N60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK39N60XS1F
TK39N60X,S1F(S
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMT8008SPS-13
MOSFET N-CH 80V 83A PWRDI5060-8
SSM4K27CTTPL3
MOSFET N-CH 20V 500MA CST4
DMP2040UFDF-13
MOSFET P-CH 20V 13A 6UDFN
