Številka izdelka proizvajalca:
TK3R2A08QM,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK3R2A08QM,S4X-DG
Opis:
UMOS10 TO-220SIS 80V 3.2MOHM
Podroben opis:
N-Channel 80 V 92A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
12965723
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK3R2A08QM,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
92A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.2mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1.3mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7670 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
TK3R2A08QM,S4X(S
264-TK3R2A08QMS4X
264-TK3R2A08QM,S4X
264-TK3R2A08QM,S4X-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQJ186EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
SI7386DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
TK6R8A08QM,S4X
UMOS10 TO-220SIS 80V 6.8MOHM
