TK430A60F,S4X(S
Številka izdelka proizvajalca:

TK430A60F,S4X(S

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

TK430A60F,S4X(S-DG

Opis:

MOSFET N-CH
Podroben opis:
N-Channel 600 V 13A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Zaloga:

12964628
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TK430A60F,S4X(S Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
U-MOSIX
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
430mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1.75mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1940 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
264-TK430A60F,S4X(S-DG
264-TK430A60F,S4X(S
264-TK430A60FS4X(S
Standardni paket
1

Okoljska in izvozna klasifikacija

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

SI3433BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 6TSOP

panjit

PJC138K_R1_00001

SOT-323, MOSFET

onsemi

NTMTSC4D3N15MC

SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 15

panjit

PJA3412_R1_00001

SOT-23, MOSFET