Številka izdelka proizvajalca:
TK46A08N1,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK46A08N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 46A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 80 V 46A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
8 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890851
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK46A08N1,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
46A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK46A08
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK46A08N1,S4X
TK46A08N1,S4X(S
TK46A08N1,S4X-DG
TK46A08N1S4X
TK46A08N1S4X-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK56A12N1,S4X
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
53
ŠTEVILKA DELA
TK56A12N1,S4X-DG
CENA ENOTE
0.78
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK6A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 6A TO220SIS
TK31V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
SSM3J129TU(TE85L)
MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
