Številka izdelka proizvajalca:
TK4R1A10PL,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK4R1A10PL,S4X-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podroben opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
48 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920915
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK4R1A10PL,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.1mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6320 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
54W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK4R1A10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
TK4R1A10PL,S4X(S
264-TK4R1A10PLS4X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK7R4A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPN11006PL,LQ
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
SIHU3N50DA-GE3
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
