Številka izdelka proizvajalca:
TK55S10N1,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK55S10N1,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 55A (Ta) 157W (Tc) Surface Mount DPAK+
Zaloga:
3549 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891165
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK55S10N1,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
55A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3280 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
157W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK+
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK55S10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK55S10N1,LQ(O
TK55S10N1LQTR
TK55S10N1LQDKR
TK55S10N1LQCT
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK6R7P06PL,RQ
MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK
TPCA8023-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 21A 8SOP
TPH6R003NL,LQ
MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
