Številka izdelka proizvajalca:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK58A06N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
4 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890337
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK58A06N1,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
58A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3400 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK58A06
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK3A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
TPCA8005-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 27A 8SOP
TK12P60W,RVQ(S
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK