Številka izdelka proizvajalca:
TK5R1P08QM,RQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK5R1P08QM,RQ-DG
Opis:
UMOS10 DPAK 80V 5.1MOHM
Podroben opis:
N-Channel 80 V 84A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
15568 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12967433
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK5R1P08QM,RQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
84A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 42A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 700µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3980 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
104W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK5R1P08QM,RQDKR-DG
264-TK5R1P08QM,RQDKR
264-TK5R1P08QMRQDKR
264-TK5R1P08QM,RQTR
TK5R1P08QM,RQ(S2
264-TK5R1P08QM,RQCT-DG
264-TK5R1P08QM,RQCT
264-TK5R1P08QMRQTR
264-TK5R1P08QM,RQTR-DG
264-TK5R1P08QMRQCT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIJH600E-T1-GE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
2SJ462-T1-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
UF3SC065030D8S
SICFET N-CH 650V 18A 4DFN