Številka izdelka proizvajalca:
TK60F10N1L,LXGQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK60F10N1L,LXGQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 60A TO220SM
Podroben opis:
N-Channel 100 V 60A (Ta) 205W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)
Zaloga:
1750 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12943582
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK60F10N1L,LXGQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.11mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4320 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
205W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-220SM(W)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
TK60F10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK60F10N1LLXGQDKR
264-TK60F10N1LLXGQCT
264-TK60F10N1LLXGQTR
TK60F10N1L,LXGQ(O
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK15S04N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 40V 15A DPAK
XPH6R30ANB,L1XHQ
MOSFET N-CH 100V 45A 8SOP
TK11S10N1L,LXHQ
MOSFET N-CH 100V 11A DPAK