Številka izdelka proizvajalca:
TK62J60W,S1VQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK62J60W,S1VQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Zaloga:
4 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12949830
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK62J60W,S1VQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
61.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
38mOhm @ 30.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 3.1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6500 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
400W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P(N)
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
TK62J60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK62J60W,S1VQ(O
TK62J60WS1VQ
Standardni paket
25
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FCH041N60F
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
365
ŠTEVILKA DELA
FCH041N60F-DG
CENA ENOTE
7.37
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DMPH6250SQ-13
MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23 T&R
TSM4N80CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A TO220
TSM1NB60CH C5G
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
