Številka izdelka proizvajalca:
TK650A60F,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK650A60F,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 600 V 11A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
98 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891405
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK650A60F,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSIX
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1.16mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1320 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK650A60
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK650A60FS4X(S
TK650A60F,S4X(S
TK650A60FS4X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK13A55DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 550V 12.5A TO220SIS
TK16A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS
TK9A55DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 8.5A TO220SIS
