Številka izdelka proizvajalca:
TK65A10N1,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK65A10N1,S4X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 65A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 100 V 65A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
9 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891004
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK65A10N1,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
65A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
5400 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
45W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK65A10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK65A10N1,S4X(S
TK65A10N1S4X
TK65A10N1,S4X-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDPF045N10A
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
1000
ŠTEVILKA DELA
FDPF045N10A-DG
CENA ENOTE
1.73
VRSTA NADOMESTILA
Upgrade
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCC8008(TE12L,QM)
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
TPH3R003PL,LQ
MOSFET N-CH 30V 88A 8SOP
TK8A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 8A TO220SIS
