Številka izdelka proizvajalca:
TK65S04N1L,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK65S04N1L,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 40 V 65A (Ta) 107W (Tc) Surface Mount DPAK+
Zaloga:
7976 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891340
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK65S04N1L,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
65A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.3mOhm @ 32.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2550 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
107W (Tc)
Delovna temperatura
175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK+
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK65S04
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK65S04N1L,LQ(O
TK65S04N1LLQTR
TK65S04N1LLQDKR
TK65S04N1LLQCT
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK3342(TE16L1,NQ)
MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD
DMN24H11DSQ-13
MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
TK5A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 4.5A TO220SIS
