Številka izdelka proizvajalca:
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK6A55DA(STA4,Q,M)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 550V 5.5A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 550 V 5.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
12890704
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK6A55DA(STA4,Q,M) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
550 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.48Ohm @ 2.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
600 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK6A55
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK6A55DASTA4QM
TK6A55DA(STA4QM)
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
ZDX050N50
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
185
ŠTEVILKA DELA
ZDX050N50-DG
CENA ENOTE
0.67
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8067-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
SSM3K17SU,LF(D
MOSFET N-CH 50V 100MA USM
TK13A50DA(STA4,Q,M
MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS