Številka izdelka proizvajalca:
TK6A65W,S5X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK6A65W,S5X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5.8A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 650 V 5.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
12889096
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK6A65W,S5X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 2.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 180µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
390 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK6A65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK6A65WS5X
TK6A65W,S5X(M
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IPA60R950C6XKSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
1
ŠTEVILKA DELA
IPA60R950C6XKSA1-DG
CENA ENOTE
1.48
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STP9NK65ZFP
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
68
ŠTEVILKA DELA
STP9NK65ZFP-DG
CENA ENOTE
0.65
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM6J207FE,LF
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
DMP3017SFG-13
MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
TK14A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 14A TO220SIS
