Številka izdelka proizvajalca:
TK72E12N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK72E12N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N CH 120V 72A TO-220
Podroben opis:
N-Channel 120 V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
22 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890935
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK72E12N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
120 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
72A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.4mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
8100 pF @ 60 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
255W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK72E12
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK72E12N1S1X
TK72E12N1,S1X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCC8093,L1Q
MOSFET N-CH 20V 21A 8TSON
TK9A90E,S4X
MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
TPH1400ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP
