Številka izdelka proizvajalca:
TK7A65W,S5X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK7A65W,S5X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 6.8A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
12891123
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK7A65W,S5X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
780mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
490 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK7A65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK7A65W,S5X(M
TK7A65WS5X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTP4N70X2M
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
24
ŠTEVILKA DELA
IXTP4N70X2M-DG
CENA ENOTE
1.35
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STF9N60M2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1988
ŠTEVILKA DELA
STF9N60M2-DG
CENA ENOTE
0.53
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8042(TE12L,Q,M)
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TP89R103NL,LQ
MOSFET N CH 30V 15A 8SOP
TK35S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 35A DPAK
