Številka izdelka proizvajalca:
TK7A80W,S4X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK7A80W,S4X-DG
Opis:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Podroben opis:
N-Channel 800 V 6.5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
50 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12988686
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK7A80W,S4X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
950mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 280µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
700 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK7A80W,S4X
264-TK7A80WS4X
264-TK7A80W,S4X-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
S2M0025120D
MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V
TK8A25DA,S4X
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
BSS138WT106
NCH 60V 310MA, SOT-323, SMALL SI