Številka izdelka proizvajalca:
TK7P65W,RQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK7P65W,RQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 6.8A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
1403 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890784
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK7P65W,RQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.8A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
800mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
490 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK7P65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK7P65WRQTR
TK7P65W,RQ(S
TK7P65WRQDKR
TK7P65WRQCT
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK6A45DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 450V 5.5A TO220SIS
TPC6107(TE85L,F,M)
MOSFET P-CH 20V 4.5A VS-6
TPC8092,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 15A 8SOP
