Številka izdelka proizvajalca:
TK7R7P10PL,RQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK7R7P10PL,RQ-DG
Opis:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Podroben opis:
N-Channel 100 V 55A (Tc) 93W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
2099 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920865
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK7R7P10PL,RQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
55A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.7mOhm @ 27.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2800 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
93W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
TK7R7P10
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK7R7P10PLRQCT
264-TK7R7P10PLRQTR
264-TK7R7P10PLRQDKR
TK7R7P10PL,RQ(S2
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK4K1A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK2K2A60F,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK110E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
