Številka izdelka proizvajalca:
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK8A55DA(STA4,Q,M)-DG
Opis:
MOSFET N-CH 550V 7.5A TO220SIS
Podroben opis:
N-Channel 550 V 7.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Zaloga:
48 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12889254
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK8A55DA(STA4,Q,M) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
π-MOSVII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
550 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
7.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.07Ohm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
800 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
40W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220SIS
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
TK8A55
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK8A55DA(STA4QM)
TK8A55DASTA4QM
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
R5007FNX
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
212
ŠTEVILKA DELA
R5007FNX-DG
CENA ENOTE
1.02
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM6J206FE(TE85L,F
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
SSM3J09FU,LF
MOSFET P-CH 30V 200MA USM