Številka izdelka proizvajalca:
TPC8115(TE12L,Q,M)
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPC8115(TE12L,Q,M)-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Podroben opis:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Zaloga:
12890452
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPC8115(TE12L,Q,M) Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
U-MOSIV
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10mOhm @ 5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
115 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
9130 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Primer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Osnovna številka izdelka
TPC8115
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH3R203NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 47A 8SOP
SSM6J507NU,LF
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
TK7A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 7A TO220SIS
