Številka izdelka proizvajalca:
TPC8A05-H(TE12L,QM
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPC8A05-H(TE12L,QM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Zaloga:
12891212
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPC8A05-H(TE12L,QM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
U-MOSV-H
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13.3mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1700 pF @ 10 V
Funkcija FET
Schottky Diode (Body)
Odvajanje moči (maks.)
1W (Ta)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP (5.5x6.0)
Paket / Primer
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Osnovna številka izdelka
TPC8A05
Dodatne informacije
Druga imena
TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI2304BDS-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
65573
ŠTEVILKA DELA
SI2304BDS-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.09
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
DMN3016LSS-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
14193
ŠTEVILKA DELA
DMN3016LSS-13-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8048-H(TE12L,Q)
MOSFET N-CH 60V 16A 8SOP
2SK2967(F)
MOSFET N-CH 250V 30A TO3P
TK160F10N1L,LQ
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
