TPCA8105(TE12L,Q,M
Številka izdelka proizvajalca:

TPCA8105(TE12L,Q,M

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

TPCA8105(TE12L,Q,M-DG

Opis:

MOSFET P-CH 12V 6A 8SOP
Podroben opis:
P-Channel 12 V 6A (Ta) 1.6W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12890356
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TPCA8105(TE12L,Q,M Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
33mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1600 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta), 20W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPCA8105

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

TK7A60W5,S5VX

MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK30A06N1,S4X

MOSFET N-CH 60V 30A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK8P60W5,RVQ

MOSFET N-CH 600V 8A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK9A45D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 450V 9A TO220SIS