Številka izdelka proizvajalca:
TPH2900ENH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH2900ENH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 33A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 200 V 33A (Ta) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
13703 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890620
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH2900ENH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
33A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
29mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2200 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
78W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH2900
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPH2900ENHL1QTR
TPH2900ENH,L1Q(M
TPH2900ENHL1QDKR
TPH2900ENHL1QCT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM6K341NU,LF
MOSFET N-CH 60V 6A 6UDFNB
TK45P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 45A DPAK
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK
