Številka izdelka proizvajalca:
TPH2R003PL,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH2R003PL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 100A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 830mW (Ta), 116W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
12038 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920887
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH2R003PL,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6410 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
830mW (Ta), 116W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH2R003
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TPH2R003PLLQCT
264-TPH2R003PLLQTR
TPH2R003PL,LQ(S
264-TPH2R003PLLQDKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH3R70APL,L1Q
MOSFET N-CH 100V 90A 8SOP
TK22A65X5,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
