Številka izdelka proizvajalca:
TPH5200FNH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH5200FNH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 26A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 250 V 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
20159 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891368
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH5200FNH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
26A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
52mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2200 pF @ 100 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
78W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH5200
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPH5200FNHL1QDKR
TPH5200FNHL1QCT
TPH5200FNH,L1Q(M
TPH5200FNHL1QTR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TJ15P04M3,RQ(S
MOSFET P-CH 40V 15A DPAK
TK39A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 38.8A TO220SIS
DMN67D8LT-7
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT523 T&R
